G.Skill TridentX 4x8GB DDR3-2666 CL12 1.65V Review

Published by Hiwa Pouri on 06.08.14
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Configurazione di prova

Per testare al meglio i singoli moduli e il kit per intero, abbiamo utilizzato una piattaforma Intel Haswell con una CPU Intel Core i7 4770K, per portare le memorie alla frequenza massima e sfruttarne tutte le caratteristiche. I vari chip hanno diversi punti caldi per quanto riguarda il timingprimario, per quello abbiamo alternato latenza CAS, tRCD, tRP e tRAS. In sostanza abbiamo creato 5 preset differenti che, come spiegato, possono variare a seconda dei vari chip presenti nei moduli di memoria. Inoltre abbiamo cambiato i voltaggi delle DRAM, utilizzando 4 step: 1.35V, 1.50V, 1.65V e 1.85V. Abbiamo utilizzato questi precisi voltaggi per una ragione: 1.35V è il voltaggio usato da memorie ECO, mentre memorie a basso voltaggio utilizzano 1.50V. Intel raccomanda l'utilizzo a 1.65V, mentre 1.85V è il voltaggio utilizzato per i test in overclock. Per testare al meglio la stabilità di questi 4 preset, abbiamo utilizzato HyperPi.

Scheda madre ASUS Maximus VII Formula (BIOS 0603)
CPU Intel Core i7-4770K ES
Scheda video ASUS GTX 580
Memorie F3-2666C12Q-32GTXD
SSD Samsung 845DC EVO 960GB
Alimentatore Seasonic Platinum 660 Watts
Sistema operativo Windows 7, 64 bit SP1



Pagina 1 - Introduzione
Pagina 2 - Uno sguardo da vicino
Pagina 3 - Galleria fotografica
Pagina 4 - Configurazione di prova
Pagina 5 - CAS latency 9
Pagina 6 - CAS latency 10
Pagina 7 - CAS latency 11
Pagina 8 - CAS latency 12
Pagina 9 - CAS latency 13
Pagina 10 - Overclocking
Pagina 11 - Conclusioni




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