Conclusioni

Annuncio: A dispetto delle circostanze valutare in prodotto è un'operazione che richiede una metodologia precisa. Si deve valutare i fatti nella maniera più oggettiva possibile, per fare in modo che i fattori che possano influire siano prossimi allo zero. Ogni redattore può interpretare i dati in maniera differente, magari grazie ad una conoscenza di base maggiore o grazie alla comprensione di alcune tematiche specifiche del funzionamento dei dischi. Anche i cambiamenti di mercato possono rendere, nel tempo, una decisione decisamente obsoleta.

Con la serie 845DC Samsung Electronics ha lanciato il primo SSD enterprise. Samsung Semiconductor invece è attivo in quell'area da diverso periodo, effettuando studi e progettazzioni che ora possono rilevarsi utili per Samsung Electronics. La nuova funzionalità più impressionante disponibile sul 845DC PRO è senza dubbio la memoria 3D V-NAND Flash. Grazie alla sua struttura cilindrica i problemi legati alla memoria NAND Flash potrebbero essere stati risolti. Le nuove celle di memoria utilizzano un processo produttivo di 40nm, rappresentando significativamente maggiore resistenza e una densità massima pari a 128Gbit. Questo risultato è stato ottenuto utilizzando 24 strati. Samsung sta già lavorando ad una versione con 48 e 96 strati di memoria 3D V-NAND Flash. Questa, dunque consentirebbe una densità NAND Flash di 1Tbit.

In termini di prestazioni, sulla nostra piattaforma di test abbiamo raggiunto i 500MB/s in scrittura sequenziale e 544MB/s in lettura sequenziale. Per quanto riguarda i 4K IOPS abbiamo misurato 92100 IOPS in lettura casuale e 85800 in scrittura casuale. In caso della scrittura sequenziale l'unità potrebbe essere un po' più veloce. Per quanto riguarda la lettura casuale, il sistema raggiunge già il valore massimo del SATA-III. Per quanto riguarda le prestazioni IOPS in lettura casuale abbiamo raggiunto quasi il valore promesso dalla stessa Samsung nelle sue pubblicità. D'altra parte, Samsung sostiene che questa unità è in grado di effettuare "solo" fare 51'000 IOPS in scrittura casuale 4K. Durante i nostri benchmark abbiamo ottenuto 34'800 IOPS più. Come potete vedere a pagina 10, abbiamo analizzato anche le prestazioni con varie code di dati. Nel caso della lettura casuale abbiamo ottenuto 7'500 IOPS (1'000 meno di quanto assicurato da Samsung), e 37'750 IOPS nella scrittura casuale (un valore doppio di quello comunicato da Samsung).

L'aspetto più importante nel caso di un SSD di classe enterprise è la resistenza e la memoria 3D V-NAND Flash. Samsung promette fino a 10 riscritture complete al giorno per cinque anni, che si traduce in 14'600 TBW. Questo è un valore eccezionale ed effettueremo noi stessi un test di resistenza sull'unità.

Ultimo ma non meno importante è il prezzo. Il Samsung 845DC PRO 400GB ha un prezzo MSRP di 959,99 US-Dollar mentre il Samsung 845DC PRO 800GB raggiunge i 1'829.99 US-Dollar. Il costo per Gigabyte è vicino ai 2.40 e 2.29 US-Dollar, ossia in linea alle proposte rivali.

Se siete alla ricerca di un SSD di classe enterprise, in grado di gestire facilmente carichi di lavoro intensi in scrittura, allora vi raccomandiamo l'acquisto di questa unità

Pagina 1 - Introduzione	Pagina 7 - Lettura Casuale KByte/s
Pagina 2 - Bundle	Pagina 8 - Scrittura Casuale IOPS
Pagina 3 - Metodologia di test	Pagina 9 - Lettura Casuale IOPS
Pagina 4 - Scrittura Sequenziale KByte/s	Pagina 10 - QD1/4/8/16/32 Performance
Pagina 5 - Lettura Sequenziale KByte/s	Pagina 11 - Conclusioni
Pagina 6 - Scrittura Casuale Kbyte/s

Autore: m.buechel@ocaholic.ch
Traduzione: Luca Rocchi l.rocchi@ocaholic.ch