Configurations et méthode de test

Pour tester les capacités d’overclocking de la mémoire nous allons utiliser la plateforme récemment sortie d’Intel, c’est-à-dire Haswell. Comme les fréquences de la mémoire sont connues pour varier entre les différentes cartes mères nous allons effectuer nos tests sur deux plateformes différentes afin d’être sûr que nos chiffres soient fiables.

Carte mère	ASUS Maximus VI Gene (BIOS 0607) Gigabyte Z87X-OC (BIOS F5s)
CPU	Intel Core i7-4770K ES @ 4.0 GHz
Carte graphique	ASUS GTX 580
Mémoire vive	Corsair Vengeance Pro CMY16GX3M2A1866C9
SSD	Samsung PM840 Pro
Alimentation	Seasonic Platinum 660 Watts
Système d'exploitation	Windows 7, 64 bit SP1

Même si Haswell est très flexible sur la fréquence de la mémoire, nous pouvons dire que très peu de personnes overclockent le bus (BCLK) de nos jours. Par conséquent, au lieu de suivre notre ancienne procédure qui consistait à fixer la tension et d’augmenter la fréquence par palier de 10MHz, nous allons à présent fixer la fréquence et diminuer la tension par palier de 0.01V.
Comme d'habitude, pour tester la stabilité nous optons pour HCI Memtest. Puisque nous avons affaire avec un kit 16 Go, nous utilisons ici huit instances de 1500 Mo et validons la stabilité lorsque chacune d’entre elles passent 100% du test sans montrer une seule erreur.
Pour ne pas trop compliquer les choses, nous fixons seulement le timing primaire, le Command Rate (1T) ainsi que la tension de la mémoire manuellement. Nous laissons carte blanche au BIOS/SPD de paramétrer le reste.

Résultats

Comme nous avions affaire à un kit mémoire basé sur des puces inconnues au bataillon, nous avons du partir de zero. C'est à dire tester toutes les combinaisons de timings possibles. Après une longue journée, nous sommes parvenus à huit combinaisons différentes qui ont le plus de sens. Aussi, nous avons découvert que la tension stable maximale varie bien en fonction de la tension. Cependant, alors que les puces Microns étaient capable d'encaisser bien plus de 2.0V aisément avec scaling, ces nouvelles puces ont montré des signes d'instabilité passé 1.8V.
À la fin, nous avons réussi à stabiliser la mémoire à DDR3-2000 CL8-9-10-24 et DDR3-2200 CL9-9-10-27, sans dépasser la barrière psychologique des 1.65V dans les deux cas. Nous avons aussi réussi à obtenir 1'200MHz, càd DDR3-2400 mais cela nécessite un relâchement de timings et une tension supérieure à 1.7V.

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Page 4 - Résultats

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