Test Setup

Damit wir die Speichermodule mit Sicherheit auf Herz und Nieren testen können, haben wir uns dazu entschieden auf Intels neuste Haswell-Plattform zu setzen. Da Speicheroverclockings von Mainboard zu Mainboard unterschiedlich hoch ausfallen können, haben wir uns die Mühe gemacht, den Speichern auf zwei unterschiedlichen Boards zu testen.

Mainboard	ASUS Maximus VI Gene (BIOS 0607) Gigabyte Z87X-OC (BIOS F5q)
CPU	Intel Core i7-4770K ES @ 4.0 GHz
Grafikkarte	ASUS GTX 580
Speicher	Kingston HyperX Beast KHX24C11T3K4/32X
SSD	Samsung PM840 Pro
Netzteil	Seasonic Platinum 660 Watts
Betriebssystem	Windows 7, 64 bit SP1

Trotz der Tatsache, dass Haswell hinsichtlich Speicher-Taktfrequenzen zahlreiche Optionen anzubeiten hat, gibt es kaum User, die ihre Alltagssystem hinsichtlich BCLK übertakten. Dementsprechend haben wir uns dazu entschieden unser Testverfahren anzupassen. Anstatt fixe Spannungspunkte zu wählen, und dann den Speichertakt jeweils um 10 MHz zu erhöhen, setzen wir nun eine fixe Taktrate und senken dann die Spannung um jeweils 0.01 Volt, bis das System instabil wird.
Wie immer verwenden wir auch in diesem Fall HCI Memtest um herauszufinden ob die Chips ihren Dienst noch stabil verichten. Da wir hier ein 32 Gigabyte Kit vorliegen haben verwenden wir 2000 Megabyte Instanzen und sobald alle diese Instanzen die 150 Prozent Marke fehlerfrei erreichen, gehen wir davon aus, dass das System seinen Dienst stabil verrichten kann.
Um die Geschichte nicht zu kompliziert zu veranstalten, passen wir lediglich die primären Timings, die Command Rate (1T) sowie die Spannung von Hand an. Alle anderen Settings über lassen wir dem Mainboard sowie dem SPD. Sollen diese beiden die Details ausjassen und zeigen wozu sie in der Lage sind.

Resultate

Wie üblich ist es unser Ziel heraus zu finden wie der hier vorliegende Speicher auf Spannungsänderungen reagiert. Bei den MFR-Chips von Hynix sieht man üblicherweise, dass eine Erhöhung der Spannung einem die Absenkungen der CAS Latenze erlaubt, bei gleichbleibender Taktrate, oder man kann die Taktrate erhöhen, ohne dass man die CAS Latenz erhöhen muss. Auf die weiteren drei primären Timings hat die Spannung kaum einen Einfluss.
Während unseren Tests war es uns nicht möglich den Speicher jenseits von 1200 MHz zu betreiben. Dabei spielte es keine Rolle, wo wir die Timings oder auch die Spannungen ansetzten, es war schlicht und ergreifend unmöglich Taktraten jenseits der Spezifikationen zu erreichen. Selbst als wir drei der vier Sticks aus den DIMM-Slots nahmen, blieb der Spielraum gleich. Nichts desto trotz war es möglich die Timings leicht abzusenken. Bei DDR3-2400 lag CL10-12-11-30 drin und bei DDR3-2200 war CL9-11-10-30 möglich. Beides sind alles andere als schlechte Resultate für ein 32 Gigabyte Kit.

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