Test Setup

Damit wir die Speichermodule mit Sicherheit auf Herz und Nieren testen können, haben wir uns dazu entschieden auf Intels neuste Haswell-Plattform zu setzen. Da Speicheroverclockings von Mainboard zu Mainboard unterschiedlich hoch ausfallen können, haben wir uns die Mühe gemacht, den Speichern auf zwei unterschiedlichen Boards zu testen.

Mainboard	ASUS Maximus VI Gene (BIOS 0607) Gigabyte Z87X-OC (BIOS F4)
CPU	Intel Core i7-4770K ES @ 4.0 GHz
Grafikkarte	ASUS GTX 580
Speicher	Corsair Vengeance Pro CMY8GX3M2A2133C11
SSD	Samsung PM840 Pro
Netzteil	Seasonic Platinum 660 Watts
Betriebssystem	Windows 7, 64 bit SP1

Trotz der Tatsache, dass Haswell hinsichtlich Speicher-Taktfrequenzen zahlreiche Optionen anzubeiten hat, gibt es kaum User, die ihre Alltagssystem hinsichtlich BCLK übertakten. Dementsprechend haben wir uns dazu entschieden unser Testverfahren anzupassen. Anstatt fixe Spannungspunkte zu wählen, und dann den Speichertakt jeweils um 10 MHz zu erhöhen, setzen wir nun eine fixe Taktrate und senken dann die Spannung um jeweils 0.01 Volt, bis das System instabil wird.
Wie immer verwenden wir auch in diesem Fall HCI Memtest um herauszufinden ob die Chips ihren Dienst noch stabil verichten. Da wir hier ein 8 Gigabyte Kit vorliegen haben verwenden wir 800 Megabyte Instanzen und sobald alle diese Instanzen die 100 Prozent Marke fehlerfrei erreichen, gehen wir davon aus, dass das System seinen Dienst stabil verrichten kann.
Um die Geschichte nicht zu kompliziert zu veranstalten, passen wir lediglich die primären Timings, die Command Rate (1T) sowie die Spannung von Hand an. Alle anderen Settings über lassen wir dem Mainboard sowie dem SPD. Sollen diese beiden die Details ausjassen und zeigen wozu sie in der Lage sind.

Resultate

Dieser Tage typisch für Speicher ist die Tatsache, dass man durch das Anheben der Spannungen bei Speichermodulen lediglich einen Einfluss auf die CAS Latenz ausüben kann, wobei man potentiell tiefere Latenzzeiten setzen kann. Alle übrigen Latenzen bleibe von dieser Massnahme aber unbeeindruckt.
Wie üblich für Speicherchips von Samsung mit hoher Speicherdichte, ist Stabilität bei Frequenzen jenseits von 1'250 MHz inexistent. Dementsprechend erklärt sich auch weshalb Speicher mit DDR3-2600+ deutlich teurer sind.
Im grossen und ganzen sind die Resultate durchaus als beeindrucken aufzufassen. Hält man sich vor Augen, dass dieser Speicher das Kunststück fertig bringt selbst bei CL8 die Spezifikationen zu erfüllen, wobei das Kit für CL11 spezifiziert wurde, dann sieht man, dass man einiges fürs Geld bekommt. Selbstverständlich benötigen die Module in diesem Falle mehr Spannung, wobei 1.77 Volt anliegen müssen. Sollte man sich nicht wohl fühlen, wenn man den Speicher bei solchen Spannungen betreibt, dann können wir sagen, dass man mit CL9 und CL10 bei tieferen Spannungen problemlos DDR3-2400 erreicht.

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