Samsung 850 PRO SSD 256 Gigabyte Review

Published by Marc Büchel on 15.09.14
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850 PRO di Samsung è l'ultimo modello di fascia alta studiato per la fascia consumer. L'unità utilizza i più recenti 3D V-NAND Flash con 24 livelli e una densità di 128 GBit. Grazie a questa nuova tecnologia, l'unità promette ottime prestazioni ed una buona durata.




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Specifiche / Bundle


Modello 850 PRO 128 GB 850 PRO 256 GB 850 PRO 512 GB 850 PRO 1 TB
Capacità 128 GB 256 GB 512 GB 1024 GB
Form Factor 2.5'' 2.5'' 2.5'' 2.5''
Controller Samsung 3-core MEX  Samsung 3-core MEX Samsung 3-core MEX Samsung 3-core MEX
Memoria
  • MLC NAND
  • 3D V-NAND 2bit
  • MLC NAND
  • 3D V-NAND 2bit
  • MLC NAND
  • 3D V-NAND 2bit
  • MLC NAND
  • 3D V-NAND 2bit
Throughput
  • 520 MB/s sequential read
  • 470 MB/s sequential write
  • 100'000 IOPS 4K random read
  • 90'000 IOPS 4K random write
  • 550 MB/s sequential read
  • 520 MB/s sequential write
  • 100'000 IOPS 4K random read
  • 90'000 IOPS 4K random write
  • 550 MB/s sequential read
  • 520 MB/s sequential write
  • 100'000 IOPS 4K random read
  • 90'000 IOPS 4K random write
  • 530 MB/s sequential read
  • 410 MB/s sequential write
  • 87'000 IOPS 4K random read
  • 14 '000 IOPS 4K random write
Consumo
  • 3.3 Watt read
  • 3.0 Watt write
  • 0.4 Watt idle
  • 3.3 Watt read
  • 3.0 Watt write
  • 0.4 Watt idle
  • 3.3 Watt read
  • 3.0 Watt write
  • 0.4 Watt idle
  • 3.3 Watt read
  • 3.0 Watt write
  • 0.4 Watt idle
Temperatura
  • Operating: 0°C bis 70°C
  • Non-Operating: -40°C bis 85°C
  • Operating: 0°C bis 70°C
  • Non-Operating: -40°C bis 85°C
  • Operating: 0°C bis 70°C
  • Non-Operating: -40°C bis 85°C
  • Operating: 0°C bis 70°C
  • Non-Operating: -40°C bis 85°C
Durata 150 TBW 150 TBW 150 TBW 150 TBW
Garanzia 10 Anni 10 Anni 10 Anni 10 Anni
Prezzo





Non molto tempo fa, Samsung ha annunciato tre nuove serie di SSD. L'azienda ha pensato alle esigenze di ogni singolo utente proponendo così la serie 850 PRO per gli utenti finali, 845DC EVO e, ultimo ma non meno importante, PRO 845DC per i data center. Nel caso della serie 850 PRO l'aggiornamento più significativo riguarda la NAND Flash usata. Per essere pià precisi, il dispositivo dispone di 24 livelli di 3D V-NAND con una struttura di 40nm. La densità è pari a 128 Gbit e Samsung ha intenzione di innalzarla fino ad 1 Tbit.

850 PRO nel taglio da 256 Gigabyte, è in grado di fornire buone prestazioni anche con capacità ridotte. Sembra che la nuova 3D V-NAND sia in grado di fornire elevate prestazioni e, al tempo stesso, elevata affidabilità. Samsung assicura una durata di 150 TBW che, comparata a quella dei data center risulta parecchio bassa. Noi crediamo che il valore reale raggiungibile da queste unità sia molto superiore.

Per quanto riguarda il controller, troviamo un Samsung MEX. Questo controller utilizza frequenze di 100 MHz superiori rispetto al vecchio modello denominato MDX.

Anche il design e le dimensioni del dispositivo sono sempre da tenere a mente. Samsung 850 PRO è disponibile solo con l'involucro da 2.5" e con una altezza di 7 millimetri. L'interfaccia utilizzata è il SATA 3.1 e siamo molto curiosi di vedere se Samsung rilascerà una versione M.2 di questa unità. Questa nostra curiosità deriva dal fatto che moltissime nuove schede madri utilizzano questo formato.

Pagina 1 - Introduzione Pagina 7 - Lettura Casuale KByte/s
Pagina 2 - Bundle Pagina 8 - Scrittura Casuale IOPS
Pagina 3 - Metodologia di test Pagina 9 - Lettura Casuale IOPS
Pagina 4 - Scrittura Sequenziale KByte/s Pagina 10 - QD1/4/8/16/32 Performance
Pagina 5 - Lettura Sequenziale KByte/s Pagina 11 - Conclusioni
Pagina 6 - Scrittura Casuale Kbyte/s  




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