Intel fährt die Produktion von 3D XPoint-Produkten hoch und hat zu diesem Zweck die Intel Micron (IM) Flash-Fertigungsstätte in der US-amerikanischen Stadt Lehi erweitert. Bei 3D XPoint handelt es sich um nichtflüchtigen Hochleistungsspeicher mit niedrigen Latenzen, der in Zusammenarbeit mit Micron entwickelt wurde.



In der nun erweiterten Fabrik werden 3D XPoint-Speichermedien und Intel Optane-Speicher für Endkunden entstehen sowie neue Kapazitäten und Formfaktoren der Intel Optane SSD DC P4800X-Reihe entworfen.
Bereits Ende letzten Monats hat Intel drei neue Optane 900P-SSDs mit 3D XPoint eingeführt. Die Geschwindigkeiten dieser Laufwerke können sich mit bis zu 500‘000 IOPS beim zufälligen Lesen und Schreiben sehen lassen. Die sequenziellen Lese/Schreibraten betragen bis zu 2‘500MB/s und 2‘000MB/s. Dabei steht die gesamte Reihe entweder als PCIe-Erweiterungskarte oder auch im U.2-Formfaktor zur Auswahl.

Darüber hinaus hat Intel die Optane-Reihe um Versionen der Intel Optane SSD DC P4800X mit 750GB und den Formfaktoren 2.5 Zoll und U.2 erweitert. Im Vergleich zu Samsung setzt Intel auf eine gänzlich andere Technologie, um seinen Speicher zu produzieren. Der 3D NAND-Speicher für Intel und Micron entsteht in der IM Flash nach der Floating-Gate-Technologie, während Samsung für seinen 3D V-NAND auf Charge-Trap setzt.

Intels Non-Volatile Memory Solutions Group hat in den letzten Quartalen ein gesundes Wachstum zu verzeichnen gehabt. Auch allgemein steigt die Nachfrage nach NAND-Flash, sodass Intel Optane eine rosige Zukunft bevorzustehen scheint.




Quelle: techpowerup