Samsung ha annunciato che ha iniziato la prima produzione di moduli di DRAM "ultra-high-speed" da 4GB con processo produttivo a 20 nm (LPDDR3).

Secondo Samsung, la nuova DRAM permetterà alle OEM di introdurre design ancora più innovativi assicurando performance molto alte, grazie alla Ram migliore del mercato. Il nuovo chip 4GB di LPDDR3 può raggiungere velocità di trasferimento dati fino a 2,133 megabit al secondo, che è al momento più del doppio delle attuali LPDDR2, che arrivano fino a 800 Mbps.

Se paragonata alla precedente DRAM LPDDR3 con processo produttivo a 30 nm, questa nuova DRAM porterà fino al 30% di miglioramento nelle prestazioni e il 20% in meno di consumo di batteria. Inoltre, poichè i gadget mobili continuano a diventare sempre più piccoli, il nuovo chip DRAM da 4GB di LPDDR3 permette alle OEM di utilizzare 4 di questi chip utilizzando solo 0.8mm in altezza.

Samsung prevede di aumentare la produzione di DRAM a 20 nm entro la fine di quest'anno.


Source: Samsung.com.