Intel e Micron hanno stretto una collaborazione per la produzione delle prime celle 3D NAND da 4 bits. Questi nuovi chip utilizzano una struttura a 64 strati, e raggiungono la densità di 1 Terabit per die. In altre parole, si tratta del chip NAND con la maggior densità mai raggiunta.



Oltre a sviluppare nuove celle NAND a 64 strati, Intel e Micron stanno lavorando alla prima struttura 3D NAND a 96 strati. Il nuovo layout dovrebbe permettere alle due compagnie di essere l'assoluto leader del settore NAND, almeno a livello di densità proposta. In questi chip troveremo la nuova tecnologia "CMOS under the array" (CuA) che riduce le dimensioni del die e permette di lavorare su 4 piani anzichè su 2.

Grazie a questa tecnologia, Intel e Micron possono installare più celle NAND in parallelo, aumentando le velocità di trasferimento. Inoltre, Intel sarà in grado di offrire capacità maggiori per lo storage, in spazi ridotti e a un prezzo più competitivo. Secondo il VP del settore sviluppo tecnologico di Micron, Scott DeBoer, la densità aumenta del 33% rispetto alle tecnologie TLC.





Source: PCworld