Samsung ha finalmente svelato tanti nuovi dettagli in merito ai progetti futuri per le memorie V-NAND. Al momento la compagnia sta lavorando all'ottava generazione di memorie V-NAND, e conseguentemente a una nuova generazione di SSD. Samsung è al lavoro sulla tecnologia flash QLC NAND, che dovrebbe essere più lenta rispetto al singolo die di memorie TLC, ma con la giusta ottimizzazione le prestazioni potrebbero superare le aspettative.



Al momento i dettagli sui nuovi chip QLC di Samsung sono pochi, l'unica informazione certa è che aumenterà sensibilmente la capacità. Circa 2 anni fa Samsung ha svelato il suo primo SSD con capacità superiore ai dischi meccanici, e solo un anno dopo ha realizzato un SSD da 32TB. Oggi la compagnia si sta preparando a lanciare un'unità da 128TB, e ciò dimostra come la tecnologia NAND stia avanzando a ritmi esponenziali.

Oltre alle nuove memorie QLC NAND, Samsung sta lavorando a una nuova generazione di SSD, che potrebbero essere realizzati nel nuovo formato "M.3". Questi dischi dovrebbero essere leggermente più larghi rispetto agli M.2 attuali, pur mantenendo la stessa interfaccia. Grazie allo spazio aggiuntivo, è possibile inserire due chip NAND su ogni lato del PCB, così da aumentare la capacità del disco.

Nei prossimi mesi Samsung lancerà diversi nuovi dischi, concentrandosi inizialmente sul mercato server per poi virare su quello desktop consumer.







Source: Tom's Hardware