Samsung ha svelato i primi dettagli in merito alla 3° generazione di chip di memoria High Bandwidth Memory (HBM3) e ai chip GDDR6 durante l'evento Hot Chips 28. Grazie a queste due nuove tipologie di chip, miglioreranno sensibilmente la banda di trasferimento, la capacità massima e i consumi energetici.



Secondo quanto affermato da Samsung durante l'evento Hot Chips 28, le memorie GDDR6 arriveranno sul mercato nel 2018 e offriranno una velocità di trasferimento massima di 15 Gbps, contro i 10Gbps delle memorie GDDR5X. Il picco di velocità delle GDDR5X è di 12Gbps, ma presto o tardi le GDDR6 rimpiazzeranno anche queste memorie.

Come probabilmente già saprete, nei prossimi mesi arriveranno sul mercato le prime GPU high-end realizzate con memorie HBM2, ma ciò non ha impedito a Samsung di cominciare a parlare della generazione successiva, le HBM3.




Previste tra il 2019 e il 2020, le HBM3 dovrebbero raddoppiare banda di trasferimento e capacità per singolo chip, mantenendo però invariati i consumi rispetto a HBM2. Nonostante siano molto costose da realizzare, le memorie HBM risultano molto interessanti per i settori HPC e server, dove la quantità di memoria – e la sua velocità – diventa un aspetto fondamentale per ottenere buone prestazioni.

Con l'arrivo delle HBM2 sul mercato, tra la fine del 2016 e l'inizio del 2017, potremo farci un'idea più chiara su cosa ci possiamo aspettare dalle HBM3.




Source: Videocardz.com.