Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione di massa dei primi chip DRAM DDR4 da 8Gb realizzati a 10nm, e dei moduli di memoria realizzati con i chip stessi.


Realizzati con il sistema ArF (Argon Fluoride) a immersione litografica, i nuovi chip DRAM a 10nm segnano una svolta importantissima per la compagnia, che nel 2014 era stata la prima a produrre in massa i chip DRAM DDR4 da 4Gb a 20nm.

Grazie al processo produttivo a 10nm è stato possibile aumentare del 30% la produttività per wafer, rispetto alla produzione a 20nm. Questi nuovi chip sono in gradi di raggiungere velocità di trasferimento che toccano i 3200 Mbps, risultato decisamente più alto rispetto ai 2400 Mbps degli stessi chip prodotti a 20nm, con consumi energetici ridotti del 10/20%.

Inoltre, i nuovi chip DRAM DDR4 apportano alcune migliorie fondamentali: per esempio abbiamo una nuova tecnologia proprietaria legata al design delle celle, così come la litografia QPT (Quadruple Patterning Technology), e altro ancora.

Realizzare un chip DRAM è leggermente più difficile a un chip NAND, in quanto ogni cella necessita di un condensatore e di un transistor collegati tra loro.

Grazie a questo importante avanzamento tecnologico, Samsung sarà la prima a introdurre i chip DRAM a 10nm per il mercato mobile, offrendo densità e velocità di trasferimento più alte rispetto alla generazione precedente.

Samsung offrirà un'ampia gamma di moduli DDR4 a 10nm, con capacità comprese tra i 4GB e i 128GB – per coprire tutti i mercati, da quello notebook a quello server enterprise – ed è intenzionata a proporre nuovi prodotti dotati di DRAM a 10nm già durante quest'anno.




Source: Samsung.com.