Samsung hat bekannt gegeben, dass man als erstes Unternehmen überhaupt mit der Produktion von "Ultra-High-Speed" 4Gb Low Power Double Data Rate (LPDDR3) DRAM Speichermodulen begonnen hat, wobei der 20-Nanometer-Fertigungsprozess zum Einsatz kommt.
Den Angaben von Samsung zu folge, haben OEMs nun noch mehr Möglichkeiten bei der Einführung neuer Designs bezüglich High-Performance-Speichermodulen. Beispielsweise werden Durchsatzraten von bis zu 2'133 Megabit pro Sekunde bei den LPDDR3-Modulen möglich.

Im Vergleich zu den 30-Nanometer LPDDR3 DRAM Modulen erhält man bei den 20 Nanometer Chips 30 Prozent mehr Performance bei 20 Prozent geringerem Stromverbrauch. Hinzu kommt, dass es für OEMs möglich wird 2 Gigabyte Speichermodule auf den Markt zu bringen, die mit lediglich vier 4 Gbit Chips bestückt sind. Somit geht es auch bei der Miniaturisierung einen weiteren Schritt voran.

Im Übrigen plant Samsung die Produktion des 20-Nanometer NAND-Flash Speichers im Verlaufe dieses Jahres weiter auszubauen.

Quelle: Samsung.com.