Intel und Micron haben eine Partnerschaft zur Herstellung und Auslieferung der ersten 3D NAND-Technologie mit 4 Bit pro Zelle bekanntgegeben. Die anstehenden NAND-Chips bestehen aus den bereits erprobten 64 Schichten und bieten bis zu 1 Terabit (Tb) Speicher pro Die. Sie bieten also die bisher höchste Dichte, die man in Flash-Speicher finden kann. Somit sollten SSDs in Zukunft deutlich größer werden.


Neben den beeindruckenden Fortschritten an NAND-Zellen arbeiten Intel und Micron auch an einer dritten Generation an NAND-Struktur mit 96 Schichten. Mit diesem neuen Layout drängen die beiden Unternehmen an die Spitze der NAND-Speicherdichte. Im Inneren käme "CMOS under the array" (CuA)-Technologie zum Einsatz, die zu einen die Größe des Die verringere und zum anderen vier Ebenen anstatt nur zwei ermögliche.

Anders gesagt können Intel und Micron somit mehr NAND-Zellen nebeneinander unterbringen und somit die Übertragungsraten steigern. Dementsprechend erwarten wir für die Zukunft einerseits noch höhere Bandbreiten. Andererseits wird Intel noch mehr Speicher auf immer weniger Raum unterbringen können und somit die Kosten für den Herstellungsprozess senken. Den Vizepräsidenten des Technology Development-Bereichs von Micron, Scott DeBoer, zufolge erzielen sie im Vergleich zu TLC eine 33% höhere Array-Dichte.




Quelle: PCworld