Samsung ist als erster Hersteller bereit, GDDR6-Chips im großen Maßstab zu fertigen. Das Unternehmen hat somit seine beiden größten Konkurrenten, SK Hynix und Micron, vorerst geschlagen. Samsungs 16Gb (2GB)-Chips entstehen im 10nm-Prozess und laufen mit 1.35V.




Die zukünftigen Chips werden Pin-Geschwindigkeiten von 18Gb/s bieten und insgesamt Übertragungsraten von bis zu 72GB/s erreichen. Zum Vergleich: Samsungs aktuelle 8Gb (1GB) GDDR5-Chips laufen mit 1.55V und bieten bis zu 9Gb/s Pin-Speed. Zusätzlich sollen die neuen Speicherchips über eine höhere Dichte verfügen.
Schon vor ein paar Wochen hatte Samsung auf die Veröffentlichung der GDDR6-Platinen hingewiesen. Die Release-Notiz führt nun jedoch deutlich höhere Geschwindigkeiten als ursprünglich angegeben auf.

Von der Konkurrenz hingegen ist bekannt, dass SK Hynix vor ungefähr sechs Monaten erste Details zu seinen GDDR6-Chips bekanntgegeben hat. Die ersten Chips von SK Hynix sollten 8Gb mit 16Gb/s Pin-Speed und einer Spannung von 1.35V bieten, während eine 16Gb-Version später folge.
Von Micron heißt es, dass die Chips auf Kurs für eine Massenproduktion 2018 sind. Der Hersteller hat allerdings noch keine konkreten Details zu den Chips genannt. Immerhin sollte der erste Chip mit 12Gb/s anfangen, also auf einem Niveau mit den derzeit schnellsten GDDR5X-Chips.

Die GDDR6-Produktion bei Samsung wird voraussichtlich eine vitale Rolle für den Release der Next-Gen-Grafikkarten und anderer Geräte spielen. Aufgrund der höheren Dichte sowie gesteigerter Performance und Energieeffizienz sollten der 16Gb GDDR6 in sämtlichen Geräten beliebt sein. Allgemein erwartet Samsung vom Speichermarkt mit den vor kurzem eingeführten 8GB HBM2-Chips und den GDDR6-Chips ein deutliches Wachstum im Premium-Segment für die kommenden Jahre.





Quelle: Samsung