Falls Ihr in letzter Zeit einen Computer zusammengebaut habt, habt Ihr vielleicht schon gehört, dass man für die schnellsten RAM-Module am besten solche mit B-Dies von Samsung sucht. Neuen Gerüchten zufolge könnte der Hersteller in naher Zukunft sogar noch schneller werden. So hat das Unternehmen nun bekanntgegeben, in die zweite Generation des 10nm DDR4-DRAM überzugehen.



Die zukünftigen Chips erhöhen die Leistung auf 3’600 MT/s, während sie gleichzeitig den Stromverbrauch um ca. 15% verringern. Wie ist das möglich? Samsung gibt an, das Layout des Speichers durch ein sogenanntes „Air Spacer“-System verbessert zu haben. Vor ein paar Jahren verwendete Intel ein ähnliches Schema für seine High-Performance-Prozessoren. Neben der gestiegenen Leistung und Energieeffizienz sei der DDR4-RAM der zweiten Generation laut Samsung auch der dichteste bisher.

Nichtsdestotrotz wird Samsung die Produktion der ersten Generation parallel zur neuen fortführen und somit langfristig hoffentlich Stück für Stück die enorm gewachsene Nachfrage erfüllen können.
Darüber hinaus erlaubten diese technologischen Fortschritte außerdem eine Beschleunigung der Herstellung von Next-Gen-Produkten wie DDR5, HBM3, LPDDR5 und GDDR5. Bisher sind keine weiteren Details bekannt, aber voraussichtlich müssen die Hersteller zur Qualitätskontrolle erst noch eine Menge interne Tests mit den neuen Modulen durchführen.





Quelle: Samsung