Samsung hat eine Menge bisher unbekannter Details zur seinen Plänen mit V-NAND enthüllt. Aktuell arbeitet das Unternehmen an der 8. Generation der Speichertechnologie sowie einer neuen SSD-Generation. Konkret widme Samsung sich QLC NAND-Flash. Dieser Speicher wird bei gleicher Die-Anzahl etwas langsamer sein, könnte mit der richtigen Parallelisierung jedoch höhere Performance als erwartet liefern.




Die Angaben, die Samsung bisher zu QLC veröffentlicht hat, sind rar gesät. Immerhin böte die Technologie enorme Speicherkapazitäten. Vor inzwischen fast zwei Jahren hat Samsung die ersten solchen SSDs enthüllt, die höhere Kapazitäten als konventionelle Festplatten boten. Ein Jahr später stellte der Hersteller ein 32TB-Laufwerk vor und nun steht ein 128TB-Modell kurz vor der Markteinführung. Der Fortschritt geht also ziemlich schnell voran.

Neben QLC NAND arbeitet Samsung auch einer neuen SSD-Generation. Diese Drives könnten im „M.3“-Formfaktor gehalten sein. Solche Solid State Drives wären etwas breiter als heutige M.2-Laufwerke, aber würden immer noch mit der Pin-Anordnung des M.2-Slots kompatibel sein. Dank des zusätzlichen Platzes könnten Hersteller allerdings auf diesen Modellen zwei NAND-Packages nebeneinander auf dem PCB unterbringen und so die Kapazitäten weiter erhöhen.

In den kommenden Monaten wird Samsung voraussichtlich neue Drives veröffentlichen. Wir vermuten, dass der Hersteller sich zunächst dem Server-Markt widmet und erst danach potenzielle Desktop-Produkte einführt.








Quelle: Tom's Hardware