Alles in Zusammenhang mit NAND-Flash-Speicher hat sich in den letzten Jahren zu einem riesigen Geschäftszweig entwickelt und die Big Player wie Samsung, Micron und SK Hynix investieren stattliche Summen in Forschung und Entwicklung. Eines der Ergebnisse liegt uns heutzutage in Form von 2TB-SSDs für Endkunden vor. Dies machen 3D NAND-Flash-Chips mit 48 Schichten möglich. Aktuell scheint Samsung sogar absolut im Zeitplan zu liegen, um bald die nächste Solid State Drive-Generation mit 64-schichtigem 3D NAND und somit noch höheren Kapazitäten zu veröffentlichen.


Hersteller Samsung gibt bekannt, nun die Massenproduktion der 4. Generation V-NAND-Speicher mit 64 Schichten und 256Gb begonnen zu haben. Diese Chips werden in zukünftigen Servern, PCs und Mobiltelefonen zum Einsatz kommen. Das Unternehmen plant, zu Ende des Jahres über 50% der monatlichen Produktion auf 64-Layer-Chips umzustellen. Theoretisch lässt sich mit dieser Technologie die Kapazität um 30% und die Zuverlässigkeit um 20% erhöhen. Außerdem ließe sich der Stromverbrauch senken, da man die Spannung von 3.3V auf 2.5V senken könne.

Hinsichtlich der Performance nennt Samsung für die neuen Chips eine bis zu 1.5-mal schnellere Page Program Time als bei früheren Generationen. Dort betrug die tPROG 500 Mikrosekunden. Nichtsdestotrotz hat der Hersteller vor, die Technologie weiter zu verbessern und letzten Endes 1Tb V-NAND mit 90 Schichten zu entwickeln.





Quelle: Techpowerup