Ein Forschungsteam des US Department of Energy’s Lawrence Berkeley National Laboratory hat einen Transistor mit einem funktionierenden 1nm-Gate erschaffen. Sie können nun damit protzen, den kleinsten Transistor überhaupt erschaffen zu haben.

Frühere Transistoren erreichten höchstens 5nm. Nun haben die Forscher des Lawrence Berkeley National Laboratory, auch als Berkeley Lab bekannt, es geschafft, dies auf ein 1nm zu reduzieren. Hierbei kamen einige High-End-Materialien zum Einsatz, die ihnen deutlich mehr Spielraum verschafften.

Einem Blogeintrag zufolge verdanken sie diesen Erfolg der Nutzung von Carbon-Nanoröhrchen und Molybdenum-Disulfid (MoS2). Nanorohre aus Carbon waren bereits seit einiger Zeit bekannt, unter anderem hat IBM sie als “next big thing“ der Post-Silizium-Zukunft beschrieben. Molybdenum-Disulfid (MoS2) hingegen ist das neue Wundermittel, das es Forschern ermöglicht, “den kürzesten Transistor überhaupt mit 1nm-Nanoröhrchen“ zu erstellen.

Momentan handele es sich zwar um wenig mehr als einen theoretischen Beweis, doch immerhin sind Transistoren so nicht mehr auf 5nm-Gates begrenzt. So könne das Mooresche Gesetz mit entsprechender Verarbeitung des Halbleitermaterials und Architektur noch ein wenig länger aufrechterhalten werden.

TSMC setzt aktuell eine Menge Forschungsressourcen in die Entwicklung des 3nm-Prozesses. Von der 1nm-Größe sind wir also noch ziemlich weit entfernt, immerhin ist nun jedoch erwiesen, dass es möglich ist.



Quelle: LBL.GOV.