Auf dem Hot Chips 28 hat Samsung erste Informationen zur 3. Generation des High Bandwidth Memory (HBM3) und GDDR6-Speicherchips bekanntgegeben. Beide erhöhen die Bandbreite sowie die Kapazität und verringern den Stromverbrauch.


Samsungs Präsentation auf der Veranstaltung Hot Chips 28 zufolge sollte GDDR6-Speicher 2018 erscheinen und Übertragungsraten von bis zu 15Gbpsbieten. Der Bandbreite der aktuellen Generation GDDR5X mit 10Gbps gegenüber ist das eine deutliche Steigerung. GDDR5X erreicht stellenweise zwar bis zu 12Gbps, doch letzten Endes wird GDDR6 ihn ersetzen. Dies scheint jedoch nicht vor 2018 zu passieren.

Wir haben bereits eine Menge zur 2. Generation High Bandwidth Memory (HBM2) gehört. Er erscheint voraussichtlich mit den Next-Gen-Grafikkarten. Nun hat Samsung schon Informationen zur Folgegeneration enthüllt.



HBM3 wird zu 2019/2020 erwartet und verdoppelt voraussichtlich die Bandbreite und Kapazität pro Chip. Der Stromverbrauch bleibe dabei gleich. Diese Art von Speicher ist zwar teuer, jedoch unter anderem für die HPC- und Server-Märkte interessant, da man in diesem Bereich nicht nur auf die Größe des Speichers, sondern auch sehr auf die Performance Wert legt.

Hoffentlich erleben wir HBM2 in Endkundenprodukten bereits zu Anfang nächsten Jahres, so dass wir uns ein genaueres Bild machen können, was uns mit kommenden Generation erwartet.



Quelle: Videocardz.com.