Samsung hat bekanntgegeben, mit der Massenproduktion der ersten 10 Nanometer (nm) 8Gb DDR4 DRAM-Chips begonnen zu haben. Sie seien die ersten ihrer Art in der Industrie. Entsprechende Module mit der gleichen Technologie befänden sich ebenfalls bereits in der Fertigung.

Die neuen DRAM-Chips der 10nm-Klasse basieren auf der aktuellen ArF (Argon Fluorid) Immersions-Lithografie und stellen einen neuen Meilenstein in der Firmengeschichte dar. Vorangegangen war zuerst der in hohen Stückzahlen produzierte 20nm 4Gb DDR4-DRAM in 2014.

Mit dem neuen Herstellungsprozess und somit den 10nm 8Gb DDR4 DRAM-Chips wird die Wafer-Produktivität im Vergleich zu 20nm 8Gb DDR4 DRAM um bis zu 30 Prozent erhöht. Weiterhin bietet die neue Technologie Datenübertragungsraten von maximal 3‘200 Mbps, was einen deutlichen Anstieg im Vergleich zu den 2‘400Mbps mit 20nm DDR4 DRAM darstellt. Ebenso sinkt der Stromverbraucht um 10 bis 20 Prozent.

Weitere Kernelemente des neuen 10nm DDR4-DRAM sind Verbesserungen der Proprietary Cell Design-Technologie und der QPT (Quadruple Patterning Technology)-Lithografie sowie ultra-dünne, dielektrische Schichtenablagerung.

Die Produktion von DRAM ist ein Stück komplizierter als bei NAND Flash-Speicher, da jede Zelle ebenso einen Kondensatoren sowie einen Transistoren erfordert, die darüber hinaus auch noch untereinander verbunden sein müssen.

Dank dieser Fortschritte erwartet Samsung im Laufe dieses Jahres ebenfalls mobilen DRAM der 10nm-Klasse mit hoher Dichte und Geschwindigkeit zu veröffentlichen.

Momentan wird der Hersteller eine breite Vielfalt an 10nm DDR4-Modulen mit Kapazitäten von 4GB für Notebooks bis zu 128GB für Firmenserver anbieten. Weiterhin plant Samsung neue 10nm DRAM-Produkte in seinem Lineup dieses Jahres einzubauen.




Quelle: Samsung.com.