Qualcomm streitet Snapdragon-820-Überhitzungsproblem ab

Enthüllt zudem neue Details zum SoC

Letzte Gerüchte haben Qualcomm dazu veranlasst ein offizielles Statement abzugeben, in dem mitgeteilt wurde, dass das neue High-End Snapdragon 820 SoC keinerlei Probleme mit Überhitzung habe und zudem auf dem 14nm-Herstellungsprozess basieren wird.

Nachdem frühere Gerüchte aus Südkorea besagten, dass Samsung versuche die Hitzeprobleme durch eine Heatpipe in seinem kommenden Galaxy S7 Flagship Smartphone, dass über das Snapdragon 820 SoC verfügen soll, in den Griff zu bekommen, schien sich Qualcomm genötigt zu fühlen dies in einem offiziellen Statement zu revidieren.

Nach Angaben des Herstellers gibt es mit dem Snapdragon 820 SoC keinerlei Hitzeprobleme. Das Snapdragon 820 basiert auf dem 14nm-herstellungsprozess mit einem Quad-Core-Cluster von Kyro-Cores sowie dedizierten Technologien, durch die die Funktionen des Prozessors effizient genutzt werden können.

Festgehalten werden muss an dieser Stelle, dass Qualcomm ähnliches bereits zum früheren Snapdragon 810 SoC sagte. Spätere Real-World-Tests zeigten anderes.

Qualcomms neues Flaggschiff in jedem Fall muss erst noch in ersten Geräten verbaut werden. Aktuell befindet sich das Snapdragon 820 SoC in der Testphase, weshalb wir gespannt sind, was die Zukunft für dieses System on a Chip zeigen wird.




Quelle: 9to5google.com.


News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini


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