Die Samsung Foundry arbeitet stetig daran den verwendeten Herstellungsprozess auf dem neuesten Stand zu halten. Die Firma hat nun angekündigt, dass die 10nm FinFET Process Technology auf der eigenen Roadmap ergänzt wurde. Abgesehen davon sollen Samsungs erste 16nm-FinFET-Transistoren noch Ende 2016 in die Massenproduktion gehen. Erste Produkte auf Basis dessen dürften also im Jahr 2017 erscheinen.

Der 10nm-Herstellungsprozess stellt einen großen Schritt für Samsung dar, denn der komplette Prozess muss dafür überarbeitet werden. Es gibt einen neuen Back-end-of-line- Interconnect Flow sowie auch neue Front-end-of-line Features. Dies soll mit dem Scaling von Performance, Power und Fläche helfen. Abgesehen davon erlaubt der neue Prozess kleinere Transistor Finnen, Gates und Interconnects als es mit dem 14nm-Herstellungsprozess möglich war. Ein sogenannter "Geometry Shrink" erlaubt es die Performance zu steigern, eine höhere Dichte von Transistoren zu erreichen und die Kosten pro Transistor zu senken, was der Firma einen Marktvorteil einbringen kann.

Sofern möglich wird Samsung den 10nm-Herstellungsprozess bereits für das kommende Galaxy S7 Smartphone nutzen. Angesichts der aktuellen Roadmap scheint dies allerdings relativ unwahrscheinlich zu sein, weshalb vermutlich 16nm FinFET Transistoren verwendet werden müssen.




Quelle: KitGuru