Bereits im Dezember 2004 führte Samsung neue GDDR3-Speicherbausteine ein, welche aber nur für Punkt zu Punkt Verbindungen geeignet sind, wie sie auf Grafikkarten zum Einsatz kommen. Dieser Speicher konnte mit einem effektiven Takt von 1.6 GHz betrieben werden und die üblichen acht Bausteine stellten 512 MByte bereit.

DDR3 hingegen soll der direkte Nachfolger von DDR2 werden und in einigen Jahren in allen PCs, Notebooks und Servern zum Einsatz kommen. Auch bei diesen ersten DDR3-Speicherbausteinen von Samsung handelt es sich um Riegel, welche über je acht Chips mit einer Speicherkapazität von 512 MBit verfügen, woraus insgesamt 512 MByte resultieren. Der Takt soll dabei bei effektiven 1066 MHz liegen. Zusätzlich soll das Prefetchverfahren im Vergleich zu DDR2 optimiert worden sein, was zur Folge hat, dass acht anstelle von vier Bits im Voraus gelesen werden können.

Eine weitere Verbesserung stellt die Reduzierung der Leistungsaufnahme der DDR3-Module dar. Die Betriebsspannung konnte von 1.8 Volt bei DDR2-Modulen auf 1.5 Volt bei DDR3-Modulen gesenkt werden, was effektiv weniger Stromverbrauch zur Folge hat.