À côté du 845DC PRO, Samsung a aussi lancé la gamme 845DC EVO. Ces lecteurs sont équipés de NAND TLC et sont destinés aux environnements à haute charge de travail de lecture, préservant les cycles d'écriture. Cette NAND TLC permet de placer ses lecteurs à un tarif plus que compétitif. Nous sommes curieux de découvrir ce que le modèle de 960Go a dans le ventre.


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Spécifications / Bundle

Modèle	845DC EVO 240 GB	845DC EVO 400 GB	845DC EVO 960 GB
Capacité	240 GB	400 GB	960 GB
Format	2.5''	2.5''	2.5''
Contrôleur	Samsung 3-core MDX		Samsung 3-core MDX
Mémoire	MLC NAND 3D V-NAND 2bit		MLC NAND 3D V-NAND 2bit
Débits	530 MB/s sequential read 270 MB/s sequential write 87'000 IOPS 4K random read 12 '000 IOPS 4K random write	530 MB/s sequential read 410 MB/s sequential write 87'000 IOPS 4K random read 14 '000 IOPS 4K random write	530 MB/s sequential read 410 MB/s sequential write 87'000 IOPS 4K random read 14 '000 IOPS 4K random write
QOS 4KB, QD32 (99.99%)	0.6 ms read 7.0 ms write		0.6 ms read 5.0 ms write
Latency	55 us sequential read 45 us sequential write 115 us random read 55 us random write	55 us sequential read 45 us sequential write 115 us random read 55 us random write	55 us sequential read 45 us sequential write 115 us random read 55 us random write
Consommation	2.7 Watt read 3.8 Watt write 1.2 Watt idle	2.7 Watt read 3.8 Watt write 1.2 Watt idle	2.7 Watt read 3.8 Watt write 1.2 Watt idle
Température	Operating: 0°C bis 60°C Non-Operating: -40°C bis 85°C	Operating: 0°C bis 60°C Non-Operating: -40°C bis 85°C	Operating: 0°C bis 60°C Non-Operating: -40°C bis 85°C
Endurance	150 TBW	300 TBW	600 TBW
Garantie	5 Ans	5 Ans	5 Ans
Prix	249.99 US-Dollar	489.99 US-Dollar	969.99 US-Dollar

Samsung Electronics se lance finalement dans le monde du SSD pour entreprise. Premièrement avec le 850 PRO pour l'utilisateur final et deuxièmement les 845DC PRO et 845DC EVO pour les entreprises, c'est ce dernier que nous allons tester aujourd'hui. Pour le 850 PRO le plus gros changement concerne les puces NAND, Samsung amenant les V-NAND 3D sur le marché et permettant ainsi d'atteindre un nouveau niveau de fiabilité et d'endurance. Avec le 845DC EVO, vous avez un SSD à NAND TLC optimisé pour les datacenters et recommandé pour les environnements à haute charge de lecture. Vous vous demanderez certainement pourquoi Samsung utilise de la NAND TLC sur des périphériques pour entreprises, son nombre de cycles P/E étant plus bas que celui de la NAND MLC. Comme on l'a déjà dit, Samsung vise les environnement à haute charge de lectures, où le nombre de cycles P/E n'est que secondaire.

Comme on l'a déjà dit, Samsung recommande l'utilisation du 845DC EVO pour les environnements à haute charge d'écriture, ainsi ses taux de lecture sequentielle et aléatoire sont hauts, mais quand il s'agit de l'écriture, il ne peut pas tenir tête avec d'autres lecteurs, comme le 845DC PRO par exemple. Dans le cas d'un lecteur d'entreprise, l'endurance est la chose la plus importante. Le 845DC 960Go assure une valeur de 600TBW, ce qui n'est qu'un petit morceau de ce que vous aurez avec un 845DC PRO. Il faut vraiment garder en tête que Samsung dédie ce lecteur au travail de lecture intensive, mettant de côté les capacités à l'écriture.
Un autre point important d'un SSD d'entreprise est la sécurité des données en cas de coupure de courant. Pour cela est présente une série de condensateurs tantalum assurant que les données residant dans les 1024Mo de DDR3 puissent être écrites sans danger dans la NAND.

Samsung utilise un contrôleur MEX sur les 845DC EVO. Comparé aux anciens contrôleurs MDX, utilisés dans le 845DC PRO, le nouveau modèle est cadencé 100MHz plus haut, à 400MHz. On trouve le même Cortex-R4 ARM que sur les anciennes versions, avec ses trois coeurs.

Enfin, jetons un oeil à l'extérieur. Le 845DC EVO n'est disponible qu'en 2,5" et 7mm d'épaisseur. Pour l'interface, c'est du SATA 3.1. Nous sommes curieux de voir si Samsung compte sortir une version SAS de ce lecteur ou pas. Cela pourrait répondre à une demande actuelle du marché, les datacenters n'utilisant que des SSD SAS.

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Page 5 - Lecture Séquentielle KByte/s	Page 11 - Conclusion
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