Als Reaktion auf die Ankündigung von Intel und Micron, dass man im Rahmen eines Joint Ventures in Singapur zusammen eine Fabrik eröffnen werde zur Herstellung von NAND-Flash-Speicher gibt Toshiba seinerseits bekannt, dass man bereit sei NAND-Flash mit 20 Nanometer breiten Strukturen zu produzieren.

Angaben von Toshiba zu Folge soll es aktuell möglich sein bei einer Strukturbreite von 19 Nanometer "Zwei-Bit-Pro-Zelle-Chips" mit bis zu 64 Gb respektive 8GB auf einem einzelnen Chip herzustellen. Ferner will man in naher Zukunft auch "Drei-Bit-Pro-Zelle-Chips" herstellen können. Werden 16 dieser 64Gb NAND Chips in ein Package gepackt, so kann eine Gesamtspeicherkapazität von 128GB erreicht werden.

Toshiba gibt ferner an, dass man Ende April die Massenproduktion betreffend "Zwei-Bit-Pro-Zelle-Chips" starten möchte.

Quelle: Digitimes